高压SiC与新型IGBT在柔直输电中的损耗对比分析
2026年电网侧对高功率密度转换器的需求迫使功率半导体进入存量竞争与技术断代的交汇期。目前，3300V以上的碳化硅（SiC）MOSFET已在分布式光伏逆变器和微电网PCS中完成小规模验证，而传统硅基IGBT依靠精细槽栅结构和减薄工艺，在10kV及以上特高压直流输电应用中依然占据成本优势。PG电子最新...
新闻动态
高压电力电子器件采购：合同谈判中的利益博弈与避坑指南
2025年全球电网侧大功率半导体需求量同比上涨接近三成，导致今年第一季度的合同谈判周期普遍拉长了15个工作日。在柔性直流输电项目（VSC-HVDC）的大规模招标中，核心换流阀组件的供货协议已不再是简单的买卖关系，而演变为复杂的风险分担协议。这种转变主要源于电网运行对非计划停运的容忍度极低。行业数据显...
2026电网储能验收：硬件冗余不再是底牌，动态响应精度成生死线
2026年上半年，国网调控中心数据显示，新型储能站并网运行中的非计划停运事件中，超过65%归因于功率半导体热疲劳或控制板卡信号干扰。甲方的验收逻辑已经发生了根本性转变：从过去的“系统能不能跑起来”变成了“核心元器件能在复杂电网环境下高精度抗多久”。以往依靠过设计、盲目增加硬件冗余来覆盖安全边界的做法...
智能电网高压化趋势下的电力电子元器件协同创新
全球能源结构转型进入深水区，特高压直流输电与柔性交流输电系统对大功率电力电子器件的可靠性要求达到新高度。根据国际能源署数据显示，2026年全球电力系统对高压IGBT及SiC功率模块的需求量较三年前增长了近一倍，其中10kV以上电压等级的功率器件成为电网扩容的核心缺口。这种需求倒逼产业链改变以往单向采...
跨过3300V门槛：柔性直流输电核心组件的产业链协同实录
西北戈壁某2GW柔性直流换流站项目现场，第一批搭载国产3300V高压碳化硅（SiC）功率模块的换流阀塔已完成带电运行测试。国家能源局数据显示，至2026年中期，国内特高压直流输电工程中，关键电力电子元器件的国产化替代率已突破六成。这一成绩的背后并非单打独斗，而是由上游材料商、元器件制造商与下游系统集...
高压柔性直流输电核心组件突破：PG电子与产业链协同降损实测
西北某千万千瓦级风光储输基地近日完成首期换流站扩容，其核心功率单元采用了新一代国产化大功率半导体模块。在海拔3000米的高原极端环境下，这套由多方协作开发的换流阀系统实现了单体损耗降低约15%的预期目标。TrendForce数据显示，到2026年，全球高压直流输电领域对碳化硅（SiC）及高性能IGB...